IGBT(绝缘栅双极晶体管)是在MOS场效应晶体管的基础上发展而来。IEC(国际电工学会) 的定义为具有导电沟道和pn结，且流过沟道和结的电流由施加在栅极和集电极-发射极之间电压所产生的电场来控制的晶体管。
         龙腾IGBT系列产品采用场截止技术（Field-Stop, FS）与微沟槽栅结构（Micro-Pattern Trench, MPT）相结合的设计，在通态压降、开关损耗及器件鲁棒性之间实现了良好的平衡。MPT结构通过对沟槽栅宽度和元胞节距（pitch）的优化缩放，减小单个元胞的尺寸，从而在相同芯片面积下大幅提升了通流能力，进一步提高了器件的功率密度。此外，通过特殊设计的沟槽连接方式，该系列产品可显著增强器件特性参数控制的灵活性，有效降低动静态损耗，提升系统效率，为高性能功率半导体器件应用提供了可靠的解决方案。
        龙腾半导体提供600V及1200V电压等级的各种电流IGBT单管产品，以满足各种类用的不同电压、电流要求。这些器件适用于通用逆变器、光伏逆变器、电动汽车充电桩、UPS、电动工具、白色家电、焊机和开关电源（SMPS）等系统。