IGBT模块是由IGBT与FRD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。龙腾IGBT模块系列产品芯片采用场截止技术（Field-Stop, FS）与微沟槽栅结构（Micro-Pattern Trench, MPT）相结合的设计，在通态压降、开关损耗及器件鲁棒性之间实现了良好的平衡。MPT结构通过对沟槽栅宽度和元胞节距（pitch）的优化缩放，减小单个元胞的尺寸，从而在相同芯片面积下大幅提升了通流能力，进一步提高了器件的功率密度。封装工艺流程方面，引用业界先进的低温一次焊接技术，创新性地采用双轨并行键合工艺、电极模块化智能筛盘组装、全自动功能测试等工艺，极大的提升了产品的一致性和可靠性。

       龙腾半导体提供600V-1700V电压等级的各种电流IGBT模块产品，以满足各种类用的不同电压、电流要求。这些模块适用于新能源汽车、光伏逆变器、储能变流器、电动汽车充电桩、伺服驱动、UPS、变频器、焊机等系统。