功率半导体低压沟槽场效应晶体管(Trench MOSFET)由早期的平面栅场效应管经过-系列演变而来，其将水平导电沟道改进为垂直导电沟道，使进一步缩小单位元胞面积成为可能。同时采用低掺杂的外延层提供足够的耐压，通过改变外延层的掺杂浓度和厚度可以方便的获得各种不同耐压的器件。在保证器件击穿电压符合需求的基础上，沟槽功率器件的一个重要发展趋势就是把单个原胞尺寸愈做愈小，原胞密度越来越高，从而有利于降低单位面积导通电阻。

         龙腾中低压沟槽(Trench)MOSFET系列产品，电压涵盖N/P20V~100V。针对不同应用领域对器件性能的需求特点采用不同的设计方案，使器件在各自应用场合性能优异。