公司始终将技术创新视为企业发展第一动力，累计申请自主知识产权300余项，在功率半导体产品开发、芯片设计、生产工艺、封装测试等方面积累了众多关键技术与特色工艺，专注研发高效、可靠、安全的功率器件及高性价比的系统解决方案。

公司形成高压超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及模块、屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET、中低压沟槽(Trench) MOSFET、高压平面MOSFET、SICJBS&MOSFET等7大产品系列，广泛应用于汽车电子、新能源发电、储能、工业及消费电子领域。