龙腾开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)产品采用小元胞设计、JFET注入设计、衬底减薄技术及优异的终端场限环结构，使得导通电阻、泄漏电流和击穿电压等性能良好折衷，并且展现出较快的开关速度和良好的抗雪崩能力。