屏蔽栅沟槽 MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET，缩写 SGT-MOSFET)功率器件是基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型沟槽式功率 MOSFET，通过多晶硅场板的引入，显著地降低了米勒电容Cgd。同时依靠厚氧化层的电荷感应效应,在传统Trench MOSFET垂直耗尽(p-body/n-epi结)基础上引入水平耗尽,在深Trench底部引入一个新的电场尖峰，由此将漂移区电场由三角形分布改变为近似矩形分布,在实现同样的击穿电压时降低了漂移区电阻，从而显著降低了器件的比导通电阻。

      龙腾SGT MOSFET系列产品，采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术，产品具有低栅极电荷及快速柔软的反向恢复特性。产品电压涵盖30V-200V，覆盖各种应用领域。